382069_1861
Главная
/
События
/
Получены первые патенты на разрабатываемую систему.

Получены первые патенты на разрабатываемую систему.

    Наши инженерные решения по записи информации в кристаллические решетки получили патентную защиту в Российской Федерации. Благодаря этому мы теперь сможем публиковать больше информации о наших разработках. Полные тексты патентов доступны в разделе "Документы".

Контакты
121205 город Москва, территория Сколково инновационного центра, Большой бульвар дом 42, строение 1, этаж 0, помещение 137, рабочее место 29
Заказать звонок
это поле обязательно для заполнения
Ваше имя:
*
это поле обязательно для заполнения
Телефон:
*
это поле обязательно для заполнения
*
это поле обязательно для заполнения
Ознакомлен с пользовательским соглашением
*
Спасибо! Форма отправлена